第二百二十五章 进击的新芯科技(3/6)
在流片的时候普遍发现超低k值介电材料会存在漏电流的问题。
所以之前你一和我们索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术，我就猜到了你们同样会面临这一问题。”
中村心想，原来是我泄露的吗？我只是了这么含糊的一句，关桑就推测出了这么多东西？
他内心不由得一阵佩服，然后连忙问：“新芯科技遇到了同样的问题，看来关桑是想到了解决方法？”
中村末广显然格外上心，要是psp的芯片出了问题，那死的第一个就是他。
关建英点头：“新芯科技从两年前开始着手超低k介电材料的应用，目前推出了新一代氧化硅技术可以解决这个问题。
我们把它叫做bckdiaond薄膜，它的有效介电常数会于30，同时采取新芯科技独有的双镶嵌工艺后，可以将电容值降低25间。”
这是新芯科技在硅谷的研发中心的成果，准确来周新在成功卖掉ora之后在硅谷成立了研发中心，有软件层面的研发中心也有半导体领域的研发中心。
其中超低k介电材料就是半导体研发中心过去两年重要研发课题之一，因为周新然知道超低k介电材料未来在半导体材料中会越来越重要，并且他也大致知道阿美利肯的应用材料公司是如何解决这个问题的。
低k介质在超大规模集成电路中，随着器件集成度的提高和延迟时间进一步减，需要它作为绝缘材料，以保证器件的高速性能并控制能耗。而随着芯片体积的缩，对低k介质的要求也越来越高。
这在未来大a的半导体市场研报中叫做半导体前驱体材料中的低k前驱体材料。
有领导性的思想作指引，新芯科技在硅谷的研发中心进展很快，基于90n制程的bckdiaond技术已经研发完成了，这一技术白了就是在氧化硅里掺碳，同时采取双镶嵌工艺可以完美解决低介电质薄膜间以及低介电质薄膜与金属连线间的界面结合问题，使低介电质薄膜间的粘着系数大为提高。
中村连连赞叹：“真是了不起的新芯科技，在这一领域之前一直被应用材料公司所垄断，没想到新芯科技在如此短时间内就能够实现技术上的突破。”
应用材料是半导体领域最重要
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